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MTB030B03V8-0-T6-G Fiches technique(PDF) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
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MTB030B03V8-0-T6-G Fiches technique(HTML) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
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6 / 9 page  CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C386V8 Issued Date : 2017.10.12 Revised Date : 2017.10.16 Page No. : 6/ 9 MTB030B03V8 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Typical Transfer Characteristics 0 5 10 15 20 25 30 01 2 3 4 5 VGS, Gate-Source Voltage(V) VDS=10V Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Pulse Width(s) TJ(MAX)=150°C TA=25°C RθJA=84°C/W Transient Thermal Response Curves 0.001 0.01 0.1 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1, Square Wave Pulse Duration(s) Single Pulse 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 D=0.5 1.RθJA(t)=r(t)*RθJA 2.Duty Factor, D=t1/t2 3.TJM-TC=PDM*ZθJC(t) 4.RθJA=84°C/W |
Numéro de pièce similaire - MTB030B03V8-0-T6-G |
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Description similaire - MTB030B03V8-0-T6-G |
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