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NTE131 Fiches technique(PDF) 1 Page - NTE Electronics

No de pièce NTE131
Description  Germanium Complementary Transistors Audio Power Amplifier
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Fabricant  NTE [NTE Electronics]
Site Internet  http://www.nteinc.com
Logo NTE - NTE Electronics

NTE131 Fiches technique(HTML) 1 Page - NTE Electronics

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NTE131 (PNP) & NTE155 (NPN)
Germanium Complementary Transistors
Audio Power Amplifier
Description:
The NTE131 (PNP) and NTE155 (NPN) are Germanium PNP Alloy Junction transistors in a Japanese
TO66 type package designed for use in audio power amplifier applications.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO
32V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, VCES
32V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, VEBO
10V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, IC
1A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, IB
200mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Power Dissipation, PC
6W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, TJ
+90
°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg
–55
° to +90°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. NTE131MP is a matched pair of NTE131 with their DC Current Gain (hFE) matched to within
10% of each other.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cutoff Current
ICEV
VCE = 32V, VEB = 1V
1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 10V, IC = 0
1
mA
DC Current Gain
hFE1
VCB = 0, IE = 100mA
35
170
hFE2
VCB = 0, IE = 1A
36
185
Common–Emitter Cutoff Frequency
fαe
VCB = 2V, IE = 100mA
10
15
kHz
Base–Emitter ON Voltage
VBE
VCB = 0, IE = 1A
0.4
V
Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 1A, IB = 100mA
0.08
V


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