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STQ1HN60K3-AP Fiches technique(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
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STQ1HN60K3-AP Fiches technique(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
7 / 14 page DocID024427 Rev 1 7/14 STQ1HN60K3-AP Electrical characteristics Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations Figure 10. Normalized gate threshold voltage vs temperature Figure 11. Normalized on-resistance vs temperature Figure 12. Source-drain diode forward characteristics Figure 13. Output capacitance stored energy VDS VGS 6 4 2 0 0 Qg(nC) (V) 4 8 2 10 VDS=480V ID=1.2A 300 200 100 0 400 VDS 6 8 500 VDS (V) AM15652v1 C 100 10 1 0.1 10 VDS(V) (pF) 1 100 Ciss Coss Crss AM15653v1 VGS(th) 1.00 0.90 0.80 0.70 -75 TJ(°C) (norm) -50 1.10 75 -25 125 ID=50µA 0 25 50 100 AM15654v1 RDS(on) 2.0 1.5 1.0 0.5 TJ(°C) (norm) 2.5 0 -75 -50 75 -25 125 0 25 50 100 ID=0.6 A VGS=10 V AM15655v1 VSD 0.6 0.8 ISD(A) (V) 0.7 1.1 0.9 1 0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 TJ=-50°C TJ=150°C TJ=25°C 0.85 0.90 0.95 1.2 AM15656v1 Eoss 0 VDS(V) (µJ) 400 200 600 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 AM15657v1 |
Numéro de pièce similaire - STQ1HN60K3-AP |
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Description similaire - STQ1HN60K3-AP |
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