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STQ1HN60K3-AP Fiches technique(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
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STQ1HN60K3-AP Fiches technique(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
6 / 14 page Electrical characteristics STQ1HN60K3-AP 6/14 DocID024427 Rev 1 2.1 Electrical characteristics (curves) Figure 2. Safe operating area Figure 3. Thermal impedance ID 0.1 0.01 0.1 1 100 VDS(V) 10 (A) 10µs 10ms 0.001 Tj=150°C Tc=25°C Single pulse 100 mS 1µs 1 AM15685v1 Figure 4. Output characteristics Figure 5. Transfer characteristics Figure 6. Normalized BVDSS vs temperature Figure 7. Static drain-source on-resistance ID 1.2 0.8 0.4 0 0 8 VDS(V) (A) 4 12 1.6 5V 6V 7V VGS=10V 16 AM15648v1 ID 0.4 0 0 4 VGS(V) 8 (A) 2 6 0.8 1.2 VDS=15V 1.6 AM15649v1 BVDSS -75 TJ(°C) (norm) -50 0 -25 0.85 0.90 0.95 1.00 1.05 ID=1 mA 25 50 75 100 125 1.10 AM15650v1 RDS(on) 6 5 4 3 0.4 0.6 ID(A) ( Ω) 0.5 0.7 7 8 9 1.1 0.8 0.9 1 1.2 VGS=10V AM15651v1 |
Numéro de pièce similaire - STQ1HN60K3-AP |
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Description similaire - STQ1HN60K3-AP |
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