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STP150N10F7 Fiches technique(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STP150N10F7 Fiches technique(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page DocID024552 Rev 4 5/15 STI150N10F7, STP150N10F7 Electrical characteristics 15 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 110 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 440 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. Forward on voltage ISD = 110 A, VGS = 0 - 1.2 V trr Reverse recovery time ISD = 110 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 80 V, TJ=150 °C (see Figure 15) -70 ns Qrr Reverse recovery charge - 165 nC IRRM Reverse recovery current - 4.7 A |
Numéro de pièce similaire - STP150N10F7 |
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Description similaire - STP150N10F7 |
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