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STD130GK14 Fiches technique(PDF) 3 Page - Sirectifier Semiconductors |
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3 / 4 page Thyristor-Diode Modules Fig. 2 i2t versus time (1-10 ms) Fig. 2a Maximum forward current at case temperature Fig. 3 Power dissipation versus on-state current and ambient temperature (per thyristor or diode) Fig. 5 Three phase rectifier bridge: Power dissipation versus direct output current and ambient temperature Fig. 1 Surge overload current I TSM, IFSM: Crest value, t: duration s t ms t 0.001 0.01 0.1 1 0 1000 2000 3000 4000 11 0 104 105 106 A2s I TSM A i2t TVJ = 45°C TVJ = 125°C 80 % V RRM TVJ = 45°C 50 Hz T VJ = 125°C Fig. 4 Gate trigger characteristics Fig. 6 Gate trigger delay time 3 x STD/SDT130 STD116GKXX P3 ©2008 SIRECTIFIER All rights reserved, Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com www.sirectifier.com |
Numéro de pièce similaire - STD130GK14 |
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Description similaire - STD130GK14 |
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