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STFW2N105K5 Fiches technique(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
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STFW2N105K5 Fiches technique(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
7 / 14 page DocID026320 Rev 1 7/14 STFW2N105K5 Electrical characteristics 14 Figure 8. Capacitance variations Figure 9. Output capacitance stored energy Figure 10. Normalized gate threshold voltage vs temperature Figure 11. Normalized on-resistance vs temperature Figure 12. Source-drain diode forward characteristics Figure 13. Normalized V(BR)DSS vs temperature C 10 1 0.1 1 100 VDS(V) 10 (pF) 0.1 100 1000 GIPG210320141129SA E 2 0 200 600 VDS(V) 400 ( µJ) 0 800 GIPG210320141201SA VGS(th) 0.8 -100 -50 50 Tj(°C) 0 (norm) 0.4 100 0.6 1 1.2 150 GIPG210320141203SA RDS(on) 1 -100 -50 50 Tj(°C) 0 (norm) 0 100 0.5 1.5 2 150 2.5 ID= 0.75A VGS= 10V GIPG210320141419SA VSD 0.7 00.2 0.6 ISD(A) 0.4 (V) 0.5 0.8 0.6 0.8 0.9 1 Tj= 150°C Tj= -50°C Tj= 25°C 1 1.2 GIPG210320141436SA V(BR)DSS 0.95 -100 -50 50 Tj(°C) 0 (norm) 0.85 100 0.9 1 1.05 150 1.1 ID= 1mA 1.15 GIPG210320141421SA |
Numéro de pièce similaire - STFW2N105K5 |
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Description similaire - STFW2N105K5 |
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