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SI7718DN Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI7718DN Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 7 page Document Number: 68698 S-81584-Rev. A, 07-Jul-08 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si7718DN New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Gate Charge 0 14 28 42 56 70 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS =10thru 4 V VGS =3 V 0.0040 0.0048 0.0056 0.0064 0.0072 0.0080 014 28 42 56 70 ID - Drain Current (A) VGS =4.5 V VGS =10 V 0 2 4 6 8 10 0.0 6.4 12.8 19.2 25.6 32.0 Qg - Total Gate Charge (nC) VDS =5 V VDS =15 V ID =10A VDS =10 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 01 2 3 45 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TC = 25 °C TC = 125 °C TC = - 55 °C Crss 0 420 840 1260 1680 2100 0 5 10 15 20 25 30 Ciss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Coss 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ -Junction Temperature (°C) ID =10A VGS =4.5 V VGS =10 V |
Numéro de pièce similaire - SI7718DN |
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Description similaire - SI7718DN |
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