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SI4176DY Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4176DY Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 9 page Document Number: 65539 S09-2430-Rev. A, 16-Nov-09 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si4176DY New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge 0 8 16 24 32 40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VGS =10 V thru 5 V VGS =4 V VGS =3 V VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.000 0.008 0.016 0.024 0.032 0.040 010 20 30 40 VGS =4.5 V VGS =10 V ID - Drain Current (A) 0 2 4 6 8 10 036 9 12 VDS =24 V ID =8.3 A VDS =7.5 V VDS =15 V Qg - Total Gate Charge (nC) Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 4 8 12 16 20 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 TC = 25 °C TC = 125 °C TC =- 55 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 100 200 300 400 500 600 700 0 5 10 15 20 25 30 Ciss Coss Crss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID =8.3 A VGS =10 V;4.5 V TJ -Junction Temperature (°C) |
Numéro de pièce similaire - SI4176DY |
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Description similaire - SI4176DY |
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