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LC67F5104A Fiches technique(PDF) 5 Page - Sanyo Semicon Device |
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LC67F5104A Fiches technique(HTML) 5 Page - Sanyo Semicon Device |
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5 / 26 page  LC67F5104A No.7933-5/26 ・内部メモリ空間の構成 メモリアドレス空間のうち3FFF FFFF∼0000 0000は1Gバイトの内部メモリ空間である。 この空間に内蔵ROM(Flash ROM)、内蔵RAM、周辺I/Oレジスタ等のメモリが割り当てられている。 空間 アドレス 内容 備考 予約 3FFF FFFFh∼2001 0000h アクセス禁止(Reserved) 周辺I/O、 レジスタ等 2000 FFFFh∼2000 0000h 周辺I/O、レジスタ等 予約 1FFF FFFFh∼1400 4000h アクセス禁止(Reserved) レジスタ等 1400 3FFFh∼1400 3000h レジスタ等 予約 1400 2FFFh∼1400 2000h アクセス禁止(Reserved) レジスタ等 1400 1FFFh∼1400 0000h レジスタ等 13FF FFFFh∼1000 4000h アクセス禁止(Reserved) 内蔵RAM空間 1000 3FFFh∼1000 0000h 内蔵RAM空間 16Kバイト 0FFF FFFFh∼0008 0000h アクセス禁止(Reserved) 内蔵ROM 0007 FFFFh∼0000 0000h 内蔵Flash ROM空間 512Kバイト ・外部メモリ空間の構成 外部メモリ空間としてエリア3∼エリア0の4つのエリアが割り当てられている。 エリア0はリセット時の外部ROM動作にも使われる。 各エリアは独立したセレクト信号を持ち(nCS3∼nCS0)、エリアごとにウェイト数が設定できる。 空間 アドレス 内容 備考 7FFF FFFFh∼7100 0000h アクセス禁止(Reserved) エリア3 70FF FFFFh∼7000 0000h 外部メモリ(エリア3) 16Mバイト 6FFF FFFFh∼6100 0000h アクセス禁止(Reserved) エリア2 60FF FFFFh∼6000 0000h 外部メモリ(エリア2) 16Mバイト 5FFF FFFFh∼5100 0000h アクセス禁止(Reserved) エリア1 50FF FFFFh∼5000 0000h 外部メモリ(エリア1) 16Mバイト 4FFF FFFFh∼4100 0000h アクセス禁止(Reserved) エリア0 40FF FFFFh∼4000 0000h 外部メモリ(エリア0) 16Mバイト ■外部メモリへのアクセス ・ウェイト制御について 各エリアのウェイトステートサイクルの設定は専用のレジスタにてプログラマブルに制御可能。 設定できるウェイト数は0/1/2/3/4/5/6/7の8通り(ライト時は1∼7)。 また、外部から印加されるウェイト制御信号にて、すでにレジスタで設定されているウェイト数 に対し、さらにウェイトを付加する事ができる。 本機種でシステムクロックにCF(1/1分周)を選択した場合は、リード時も1以上のウェイトを設定 する必要がある。 外部メモリのウェイト設定によっては、スタンバイ制御時に注意が必要になります。 詳細は、ユーザーズ･マニュアルをご参照ください。 ・外部メモリに対するデータアクセスについて 外部メモリからのRead 取り扱うデータの種類 8ビットデバイス接続時 16ビットデバイス接続時 8ビットデータ 1バイト単位で1回読み出し 1バイト単位で1回読み出し 16ビットデータ 1バイト単位で2回読み出し 2バイト単位で1回読み出し 32ビットデータ 1バイト単位で4回読み出し 2バイト単位で2回読み出し 注意 |
Numéro de pièce similaire - LC67F5104A |
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