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IPB027N10N5 Fiches technique(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
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IPB027N10N5 Fiches technique(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
6 / 11 page 6 OptiMOSª5Power-Transistor,100V IPB027N10N5 Rev.2.2,2016-07-20 Final Data Sheet 4Electricalcharacteristicsdiagrams Diagram1:Powerdissipation TC[°C] 0 50 100 150 200 0 50 100 150 200 250 300 Ptot=f(TC) Diagram2:Draincurrent TC[°C] 0 50 100 150 200 0 20 40 60 80 100 120 ID=f(TC);VGS ≥10V Diagram3:Safeoperatingarea VDS[V] 10-1 100 101 102 103 10-1 100 101 102 103 1 µs 10 µs 100 µs 1 ms 10 ms DC ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp Diagram4:Max.transientthermalimpedance tp[s] 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 10-2 10-1 100 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 single pulse ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T |
Numéro de pièce similaire - IPB027N10N5 |
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Description similaire - IPB027N10N5 |
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