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IRL7472L1PBF Fiches technique(PDF) 8 Page - Infineon Technologies AG |
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IRL7472L1PBF Fiches technique(HTML) 8 Page - Infineon Technologies AG |
8 / 12 page IRL7472L1TRPbF 8 2016-8-9 Fig 22. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel HEXFET® Power MOSFETs Fig 23a. Unclamped Inductive Test Circuit RG IAS 0.01 tp D.U.T L VDS + - VDD DRIVER A 15V 20V Fig 25a. Gate Charge Test Circuit tp V(BR)DSS IAS Fig 23b. Unclamped Inductive Waveforms Fig 24a. Switching Time Test Circuit Fig 24b. Switching Time Waveforms Vds Vgs Id Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 25b. Gate Charge Waveform VDD |
Numéro de pièce similaire - IRL7472L1PBF |
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Description similaire - IRL7472L1PBF |
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