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SI4465DY Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4465DY Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 4 page Si4465DY Vishay Siliconix Document Number: 70830 S-31989—Rev. B, 13-Oct-03 www.vishay.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0 8 16 24 32 40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0 8 16 24 32 40 0 8 16 24 32 40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 1 2 3 4 5 0 20406080 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000 02468 VGS = 5 thru 2 V 25_C TC = 125_C VDS = 4 V ID = 14 A VGS = 4.5 V ID = 14 A 1 V -55_C 1.5 V Output Characteristics Transfer Characteristics Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS - Gate-to-Source Voltage (V) Qg - Total Gate Charge (nC) VDS - Drain-to-Source Voltage (V) ID - Drain Current (A) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ - Junction Temperature (_C) VGS = 4.5 V VGS = 2.5 V VGS = 1.8 V Crss Coss Ciss |
Numéro de pièce similaire - SI4465DY |
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Description similaire - SI4465DY |
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