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SI7884DP Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI7884DP Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 4 page Si7884DP Vishay Siliconix Document Number: 71855 S-32077—Rev. D, 13-Oct-03 www.vishay.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 0 8 16 24 32 40 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 8 10 0 7 14 21 28 35 0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 0 1020304050 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Crss Coss Ciss VDS = 20 V ID = 14 A ID - Drain Current (A) VGS = 10 V ID = 14 A VGS = 10 V VGS = 4.5 V Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current Qg - Total Gate Charge (nC) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ - Junction Temperature (_C) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.000 0.004 0.008 0.012 0.016 0.020 02468 10 TJ = 150_C TJ = 25_C ID = 14 A 50 10 1 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VSD - Source-to-Drain Voltage (V) VGS - Gate-to-Source Voltage (V) |
Numéro de pièce similaire - SI7884DP |
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Description similaire - SI7884DP |
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