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S29GL01GT13TFNyyxx Fiches technique(PDF) 89 Page - Cypress Semiconductor |
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S29GL01GT13TFNyyxx Fiches technique(HTML) 89 Page - Cypress Semiconductor |
89 / 105 page Document Number: 002-00247 Rev. *G Page 89 of 105 S29GL01GT, S29GL512T Note: 1. Not 100% tested. Figure 11.20 Back to Back (CE#) Write Operation Timing Diagram Note: 1. Address are Amax:A0 in word mode; Amax:A-1 in byte mode, Data are DQ15-DQ0 in word mode; DQ7-DQ0 in byte mode. Figure 11.21 (CE#) Write to Read Operation Timing Diagram Note: 1. Address are Amax:A0 in word mode; Amax:A-1 in byte mode, Data are DQ15-DQ0 in word mode; DQ7-DQ0 in byte mode. tELWH tWH WE# Hold Time Min 0 ns tELEH tCP CE# Pulse Width Min 25 ns tEHEL tCPH CE# Pulse Width High Min 20 ns tSEA Sector Erase Time-Out Min 50 µs Table 11.11 Alternate CE# Controlled Write Operations (Continued) Parameter Description VIO = 2.7V to VCC VIO = 1.65V to VCC Unit JEDEC Std Amax-A0 CE# OE# WE# DQ15-DQ0 tDS tDH tAS tAH tWC tCP tCPH tWS tWH Amax-A0 CE# OE# WE# DQ15-DQ0 tACC tOE tCE tDF tOH tWC tAS tAH tDS tDH tWS tWH tOEH |
Numéro de pièce similaire - S29GL01GT13TFNyyxx |
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Description similaire - S29GL01GT13TFNyyxx |
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