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IRFP452R Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IRFP452R Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP452R ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA 500 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID= 0.25mA 2 4 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 7A 0.5 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ± 100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 500V; VGS= 0 VDS= 400V; VGS= 0; Tj= 150℃ 250 1000 μ A VSD Forward On-Voltage IS= 12A; VGS= 0 1.3 V · |
Numéro de pièce similaire - IRFP452R |
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Description similaire - IRFP452R |
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