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SI4434DY-E3 Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix

No de pièce SI4434DY-E3
Description  N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

SI4434DY-E3 Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix

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Si4434DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72562
S-32556—Rev. B, 15-Dec-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
0
500
1000
1500
2000
2500
0
50
100
150
200
250
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
−50
−25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
7
14
21
28
35
0.00
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0
8
16
24
32
40
VDS − Drain-to-Source Voltage (V)
Crss
Coss
Ciss
VDS = 100 V
ID = 3.0 A
ID − Drain Current (A)
VGS = 10 V
ID = 3.0 A
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Qg − Total Gate Charge (nC)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
TJ − Junction Temperature (_C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
02468
10
TJ = 150_C
TJ = 25_C
ID = 3.0 A
50
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
VSD − Source-to-Drain Voltage (V)
VGS − Gate-to-Source Voltage (V)
VGS = 6 V
VGS = 10 V


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