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SI4434DY-E3 Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4434DY-E3 Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 5 page Si4434DY Vishay Siliconix New Product Document Number: 72562 S-32556—Rev. B, 15-Dec-03 www.vishay.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0 500 1000 1500 2000 2500 0 50 100 150 200 250 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 8 10 0 7 14 21 28 35 0.00 0.06 0.12 0.18 0.24 0.30 0 8 16 24 32 40 VDS − Drain-to-Source Voltage (V) Crss Coss Ciss VDS = 100 V ID = 3.0 A ID − Drain Current (A) VGS = 10 V ID = 3.0 A Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current Qg − Total Gate Charge (nC) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ − Junction Temperature (_C) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 02468 10 TJ = 150_C TJ = 25_C ID = 3.0 A 50 10 1 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VSD − Source-to-Drain Voltage (V) VGS − Gate-to-Source Voltage (V) VGS = 6 V VGS = 10 V |
Numéro de pièce similaire - SI4434DY-E3 |
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Description similaire - SI4434DY-E3 |
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