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4N35 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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4N35 Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor 4N35 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 250µA 350 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=1mA 2.0 4.0 V VSD Diode Forward On-Voltage IS=4A ;VGS= 0 1.4 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=2A 2.0 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 350V; VGS= 0 10 µA PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
Numéro de pièce similaire - 4N35 |
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Description similaire - 4N35 |
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