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2SJ661-1E Fiches technique(PDF) 4 Page - ON Semiconductor |
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2SJ661-1E Fiches technique(HTML) 4 Page - ON Semiconductor |
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4 / 9 page  2SJ661 No.8586-4/9 A S O VGS -- Qg Total Gate Charge, Qg -- nC Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08756 0 1020304050607080 0 --2 --4 --6 --8 --9 --1 --3 --5 --7 --10 VDS= --30V ID= --38A IT16831 --0.1 --1.0 2 3 2 3 7 5 2 3 7 5 2 3 7 5 --10 --100 --1.0 --10 23 5 7 --0.1 23 5 7 --100 23 5 7 IDP= --152A(PW≤10μs) ID= --38A 100 μs Operation in this area is limited by RDS(on). 10 μs Tc=25 °C Single pulse PD -- Tc PD -- Ta Case Temperature, Tc -- °C Ambient Temperature, Ta -- °C IT08758 0 0 20 40 60 80 100 120 60 70 65 50 140 160 40 30 20 10 IT08735 0 0 20 40 60 80 100 120 1.65 140 160 0.5 1.0 1.5 2.0 |
Numéro de pièce similaire - 2SJ661-1E |
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Description similaire - 2SJ661-1E |
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