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4N60G-TMS-T Fiches technique(PDF) 7 Page - Unisonic Technologies |
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4N60G-TMS-T Fiches technique(HTML) 7 Page - Unisonic Technologies |
7 / 9 page 4N60 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 7 of 9 www.unisonic.com.tw QW-R502-061.Z TYPICAL CHARACTERISTICS 10 1 10 0.1 1 Drain-to-Source Voltage, VDS (V) On-State Characteristics 0.1 2 Gate-Source Voltage, VGS (V) Transfer Characteristics 46 8 10 150°С Notes: 1. VDS=50V 2. 250µs Pulse Test 10 1 0.1 25°С 5.0V Notes: 1. 250µs Pulse Test 2. TC=25°С VGS Top: 10V 9V 8V 7V 6V 5.5V 5 V Bottorm:5.0V |
Numéro de pièce similaire - 4N60G-TMS-T |
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Description similaire - 4N60G-TMS-T |
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