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IRF1010EL Fiches technique(PDF) 7 Page - International Rectifier

No de pièce IRF1010EL
Description  Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A⑦)
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier

IRF1010EL Fiches technique(HTML) 7 Page - International Rectifier

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IRF1010ES/IRF1010EL
www.irf.com
7
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
ƒ
„
‚
RG
VDD
• dv/dt controlled by R
G
• I
SD controlled by Duty Factor "D"
• D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
• Low Stray Inductance
• Ground Plane
• Low Leakage Inductance
Current Transformer

* Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
VGS
[
]
[
]
*** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
[
] ***
Fig 14. For N-channel HEXFET® power MOSFETs


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Numéro de composants électroniques

No de pièceDescriptionHtml ViewFabricant
SBF50P10-023L RAD TOLERANT LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - P-CHANNEL 1  2  3  Sensitron
IRF1010E Power MOSFET Vdss=60V Rds on =12mohm Id=84A⑦ 1  2  3  4  5  More International Rectifier
SHD224701 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL 1  2  Sensitron
SHD225701 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL 1  2  Sensitron
SHD244702 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - P-CHANNEL 1  2  3  Sensitron
IPS0551T FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH 1  2  3  4  5  More International Rectifier
SSH6N90A Advanced Power MOSFET 1  2  3  4  5  More Fairchild Semiconductor
IRFD120 1.3A 100V 0.300 Ohm N-Channel Power MOSFET 1  2  3  4  5  More Fairchild Semiconductor
DE275-501N16 RF Power MOSFET 1  2  3  IXYS Corporation
MMDF6N02HD DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS 1  2  3  4  5  More Motorola, Inc

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