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IRF1010E Fiches technique(PDF) 6 Page - International Rectifier

No de pièce IRF1010E
Description  Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A⑦
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier

IRF1010E Fiches technique(HTML) 6 Page - International Rectifier

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IRF1010E
6
www.irf.com
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
µF
50K
.2
µF
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
VGS
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (B R)DSS
I AS
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
J
°
ID
TOP
BOTTOM
20A
35A
50A
R G
IAS
0.01
tp
D.U .T
L
V DS
+
-
VDD
DR IV E R
A
15V
20V
VGS


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Numéro de composants électroniques

No de pièceDescriptionHtml ViewFabricant
SBF50P10-023L RAD TOLERANT LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - P-CHANNEL 1  2  3  Sensitron
IRF1010ES Power MOSFET Vdss=60V Rds on =12mohm Id=84A⑦ 1  2  3  4  5  More International Rectifier
SHD224701 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL 1  2  Sensitron
SHD225701 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL 1  2  Sensitron
SHD244702 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - P-CHANNEL 1  2  3  Sensitron
IPS0551T FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH 1  2  3  4  5  More International Rectifier
SSH6N90A Advanced Power MOSFET 1  2  3  4  5  More Fairchild Semiconductor
IRFD120 1.3A 100V 0.300 Ohm N-Channel Power MOSFET 1  2  3  4  5  More Fairchild Semiconductor
DE275-501N16 RF Power MOSFET 1  2  3  IXYS Corporation
MMDF6N02HD DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS 1  2  3  4  5  More Motorola, Inc

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