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IRF1010E Fiches technique(PDF) 5 Page - International Rectifier

No de pièce IRF1010E
Description  Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A⑦
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier

IRF1010E Fiches technique(HTML) 5 Page - International Rectifier

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IRF1010E
www.irf.com
5
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
VDS
Pulse Width
≤ 1 µs
Duty Factor
≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
VGS
+
-VDD
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
T , Case Temperature
( C)
°
C
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)


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Numéro de composants électroniques

No de pièceDescriptionHtml ViewFabricant
SBF50P10-023L RAD TOLERANT LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - P-CHANNEL 1  2  3  Sensitron
IRF1010ES Power MOSFET Vdss=60V Rds on =12mohm Id=84A⑦ 1  2  3  4  5  More International Rectifier
SHD224701 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL 1  2  Sensitron
SHD225701 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL 1  2  Sensitron
SHD244702 LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - P-CHANNEL 1  2  3  Sensitron
IPS0551T FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH 1  2  3  4  5  More International Rectifier
SSH6N90A Advanced Power MOSFET 1  2  3  4  5  More Fairchild Semiconductor
IRFD120 1.3A 100V 0.300 Ohm N-Channel Power MOSFET 1  2  3  4  5  More Fairchild Semiconductor
DE275-501N16 RF Power MOSFET 1  2  3  IXYS Corporation
MMDF6N02HD DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS 1  2  3  4  5  More Motorola, Inc

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