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FDS89161 Fiches technique(PDF) 5 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

No de pièce FDS89161
Description  N-Channel Enhancement MOSFET
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Fabricant  KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
Site Internet  http://www.kexin.com.cn/index.asp
Logo KEXIN - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

FDS89161 Fiches technique(HTML) 5 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

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background image
SMD Type
www.kexin.com.cn
5
MOSFET
N-Channel Enhancement MOSFET
FDS89161 (KDS89161)
■
Typical Characterisitics
Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
10
3
0.5
1
10
100
1000
SINGLE PULSE
RθJA = 135
oC/W
T
A = 25
oC
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 14.
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
2
SINGLE PULSE
R
θ
JA = 135
oC/W
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
PDM
t1
t2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ = PDM x ZθJA x RθJA + TA
Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve


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