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2SC2830_2014 Fiches technique(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SC2830_2014 Fiches technique(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page JMnic Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC2830 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A ; IB=0 400 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=12A; IB=2.4A 1.2 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=12A; IB=2.4A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=500V; IE=0 0.1 mA ICEO Collector cut-off current VCE=400V; IB=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=2.4A ; VCE=5V 15 50 hFE-2 DC current gain IC=12A ; VCE=5V 10 |
Numéro de pièce similaire - 2SC2830_2014 |
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Description similaire - 2SC2830_2014 |
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