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2SA1276 Fiches technique(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SA1276 Fiches technique(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 5 page JMnic Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SA1276 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA ,IB=0 -30 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ,IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -0.3 -0.8 V VBE Base-emitter voltage IC=-0.5A ; VCE=-2V -0.75 -1.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-20V; IE=0 -1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -1.0 μA hFE-1 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-2V 70 240 hFE-2 DC current gain IC=-2.5A ; VCE=-2V 25 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-2V 100 MHz Cob Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 40 pF hFE-1 Classifications O Y 70-140 120-240 |
Numéro de pièce similaire - 2SA1276 |
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Description similaire - 2SA1276 |
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