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2SK3147 Fiches technique(PDF) 1 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK3147 Fiches technique(HTML) 1 Page - Hitachi Semiconductor |
1 / 9 page 2SK3147(L),2SK3147(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-731 (Z) 1st. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS = 0.1 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline 1 2 3 4 4 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain DPAK–2 1 2 3 D G S |
Numéro de pièce similaire - 2SK3147 |
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Description similaire - 2SK3147 |
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