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2SK2930 Fiches technique(PDF) 5 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK2930 Fiches technique(HTML) 5 Page - Hitachi Semiconductor |
5 / 10 page 2SK2930 5 0.1 3 10 0.3 0.5 0.02 0.05 0.01 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 –40 0 40 80 120 160 0 0.1 0.3 1 3 10 30 100 50 20 5 10 1 2 0.5 1 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 48 12 16 20 Pulse Test I = 20A D 5 A 10 A 100 30 0.2 0.1 Pulse Test DS V = 10 V Pulse Test V = 4 V GS 10 V 5, 10,20 A 20 A 5,10 A 75 °C 25 °C Tc = –25 °C V = 4 V GS 10 V Pulse Test D Gate to Source Voltage V (V) GS Drain to Source Saturation Voltage vs. Gate to Source Voltage Drain Current I (A) Static Drain to Source on State Resistance vs. Drain Current Case Temperature Tc (°C) Static Drain to Source on State Resistance vs. Temperature D Drain Current I (A) Forward Transfer Admittance vs. Drain Current |
Numéro de pièce similaire - 2SK2930 |
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Description similaire - 2SK2930 |
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