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2SK2075 Fiches technique(PDF) 4 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK2075 Fiches technique(HTML) 4 Page - Hitachi Semiconductor |
4 / 10 page 2SK2075 4 160 120 80 40 0 50 100 150 200 Case Temperature Tc (°C) Power vs. Temperature Derating Drain to Source Voltage V (V) DS 100 30 10 3 1 0.3 0.1 1 3 10 30 100 300 1000 100 µ s 10 µ s PW = 10 ms (1shot) Operation in this area is limited by R DS(on) Ta = 25 °C Maximum Safe Operation Area 50 40 30 20 10 0 24 6 8 10 Drain to Source Voltage V (V) DS 10 V 8 V 6 V 5 V 4.5 V V = 4 V GS Pulse Test Typical Output Characteristics 50 40 30 20 10 0 246 8 10 Gate to Source Voltage V (V) GS –25 °C Tc = 25 °C 75 °C V = 10 V Pulse Test DS Typical Transfer Characteristics |
Numéro de pièce similaire - 2SK2075 |
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Description similaire - 2SK2075 |
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