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2SK1401 Fiches technique(PDF) 6 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK1401 Fiches technique(HTML) 6 Page - Hitachi Semiconductor |
6 / 9 page 2SK1401, 2SK1401A 6 500 120 Reverse Drain Current IDR (A) 200 20 0.5 2 10 5 50 100 Body to Drain Diode Reverse Recovery Time Pulse Test di/dt = 100 A/ µs, V GS = 0 Ta = 25°C 0.2 10 5 10,000 1,000 20 50 Drain to Source Voltage VDS (V) 10 30 40 5 100 Typical Capacitance vs. Drain to Source Voltage 0 Crss Coss Ciss VGS = 0 f = 1 MHz 500 40 100 Gate Charge Qg (nc) Dynamic Input Characteristics 400 100 20 60 80 0 200 300 VDS 300 V 20 16 4 0 8 12 VDD = 300 V 200 V 100 V ID = 15 A 200 V VDD = 100 V VGS 500 120 Drain Current ID (A) 200 20 0.5 2 10 5 50 100 0.2 10 5 Switching Characteristics tf tr td (on) VGS = 10 V, PW = 2 µs duty 1%, VDD 30 V td (off) = . . < = |
Numéro de pièce similaire - 2SK1401 |
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Description similaire - 2SK1401 |
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