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2SK1301 Fiches technique(PDF) 6 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK1301 Fiches technique(HTML) 6 Page - Hitachi Semiconductor |
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6 / 9 page  2SK1301 6 500 100 50 20 10 5 0.2 0.5 2 20 Reverse Drain Current IDR (A) 5 1.0 10 Body to Drain Diode Reverse Recovery Time 200 di/dt = 50 A/ µs, Ta = 25°C VGS = 0 Pulse Test Typical Capacitance vs. Drain to Source Voltage 10000 1000 100 10 010 20 50 Drain to Source Voltage VDS (V) 30 40 VGS = 0 f = 1 MHz Ciss Coss Crss 100 80 60 40 20 0 20 60 80 Gate Charge Qg (nc) 40 20 16 12 8 4 Dynamic Input Characteristics 100 0 VDS VGS VDD = 25 V 50 V 80 V ID = 15 A VDD = 80 V 50 V 25 V Switching Characteristics 500 200 100 50 10 5 0.2 0.5 2 20 Drain Current ID (A) 5 1 10 20 td (off) td (on) tf tr VGS = 10 V VDD = 30 V PW = 2 µs, duty < 1 % • • |
Numéro de pièce similaire - 2SK1301 |
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Description similaire - 2SK1301 |
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