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2SJ319 Fiches technique(PDF) 6 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SJ319 Fiches technique(HTML) 6 Page - Hitachi Semiconductor |
6 / 9 page 2SJ319(L), 2SJ319(S) 6 –5 –4 –3 –2 –1 0 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2 Source to Drain Voltage V (V) SD Pulse Test –10 V V = 0, 5 V GS Reverse Drain Current vs. Source to Drain Voltage 3 1 0.3 0.1 0.03 0.01 10 µ 100 µ 1 m 10 m Pulse Width PW (S) 100 m 1 10 DM P PW T D = PW T ch – c(t) = s (t) • ch – c ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C θ γ θ θ D = 1 0.5 0.2 0.01 0.02 0.1 0.05 1 shot Pulse Tc = 25°C Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width |
Numéro de pièce similaire - 2SJ319 |
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Description similaire - 2SJ319 |
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