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2SK2904-01 Fiches technique(PDF) 2 Page - Fuji Electric

No de pièce 2SK2904-01
Description  N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
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Fabricant  FUJI [Fuji Electric]
Site Internet  http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd
Logo FUJI - Fuji Electric

2SK2904-01 Fiches technique(HTML) 2 Page - Fuji Electric

  2SK2904-01 Datasheet HTML 1Page - Fuji Electric 2SK2904-01 Datasheet HTML 2Page - Fuji Electric 2SK2904-01 Datasheet HTML 3Page - Fuji Electric 2SK2904-01 Datasheet HTML 4Page - Fuji Electric  
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2
10
3
VDS [V]
Safe operating area
ID=f(VDS):D=0.01,Tc=25°C
t=
1µs
10µs
1ms
10ms
100ms
100µs
D.C.
02
4
6
8
10
0.1
1
10
100
Typical transfer characteristics
ID=f(VGS):80µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
VGS [V]
Characteristics
2SK2904-01
FUJI POWER MOSFET
0
50
100
150
0
25
50
75
100
125
150
Power Dissipation
PD=f(Tc)
Tc [°C]
0
1234
5
0
50
100
150
200
6.0V
5.5V
4.0V
3.5V
4.5V
10V
8V
5.0V
VGS=20V
Typical output characteristics
ID=f(VDS):80µs pulse test,Tc=25°C
VDS [V]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical forward transconductance
gfs=f(ID):80µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
ID [A]
0
50
100
150
200
0
10
20
30
40
50
6V
ID [A]
Typical Drain-Source on-State Resistance
RDS(on)=f(ID):80µs pulse test,Tch=25°C
8V
10V
20V
4.5V
5.0V
4.0V
VGS=
3.5V
5.5V
t
T
D=
t
T


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Numéro de composants électroniques

No de pièceDescriptionHtml ViewFabricant
2SK1082-01 N-Channel Silicon Power MOS-FET 1  2  3  Fuji Electric
2SK2905-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK3363-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK1081-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK1663L N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK3364-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK725 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK1916-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK2907-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric
2SK902 N-Channel Silicon Power MOS-FET 1  2  3  4  Fuji Electric

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