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2SD1506 Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD1506 Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1506 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA ,IB=0 50 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=50µA ,IE=0 60 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=50µA ,IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.2A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.2A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=40V; IE=0 1.0 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 1.0 µA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=3V 56 390 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz 40 pF fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=5V 90 MHz hFE Classifications N P Q R 56-120 82-180 120-270 180-390 |
Numéro de pièce similaire - 2SD1506 |
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Description similaire - 2SD1506 |
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