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MTB09P03J3 Fiches technique(PDF) 3 Page - Cystech Electonics Corp. |
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MTB09P03J3 Fiches technique(HTML) 3 Page - Cystech Electonics Corp. |
3 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C808J3 Issued Date : 2010.01.18 Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 3/9 MTB09P03J3 CYStek Product Specification Ciss - 4400 - Coss - 486 - Crss - 405 - pF VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz Rg - 3 - Ω VGS=15mV, VDS=0, f=1MHz Source-Drain Diode IS *1 - - -75 ISM *3 - - -160 A VSD *1 - - -1.2 V IF=-24A, VGS=0V trr - 47 - ns Qrr - 43 - nC IF=IS, dIF/dt=100A/μs Note : *1.Pulse Test : Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2% *2.Independent of operating temperature *3.Pulse width limited by maximum junction temperature. Recommended soldering footprint |
Numéro de pièce similaire - MTB09P03J3 |
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Description similaire - MTB09P03J3 |
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