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2SD1762 Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SD1762 Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 3 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1762 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA , IB=0 50 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=50µA , IE=0 60 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=50µA , IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=0.2A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=0.2A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=40V IE=0 1 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 1 µA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=3V 60 320 fT Transition frequency IE=-0.5A ; VCE=5V;f=30MHz 90 MHz Cob Output capacitance IE=0 ; VCB=10V ,f=1MHz 40 pF hFE Classifications D E F 60-120 100-200 160-320 |
Numéro de pièce similaire - 2SD1762 |
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Description similaire - 2SD1762 |
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