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2SC3591 Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SC3591 Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 4 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3591 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA ; RBE=; 200 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ; IE=0 400 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ; IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 0.8 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=250V ;IE=0 100 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 100 µA hFE-1 DC current gain IC=1 A ; VCE=1V 15 hFE -2 DC current gain IC=5 A ; VCE=1V 10 50 fT Transition frequency IC=0.5 A ; VCE=10V 10 MHz tf Fall time VCC=50V;IC=5A; IB1=-IB2=0.5A ;RL=10A 0.3 µs |
Numéro de pièce similaire - 2SC3591 |
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Description similaire - 2SC3591 |
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