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SI7469DP-T1-E3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI7469DP-T1-E3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 9 page www.vishay.com 4 Document Number: 73438 S09-0271-Rev. C, 16-Feb-09 Vishay Siliconix Si7469DP TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 1.0 1.2 1 10 40 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 23456 789 10 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C 0 20 35 5 10 Time (s) 25 15 30 0.01 0.1 1 10 100 1000 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 1 0.1 1 10 1000 0.001 10 0.1 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified 0.01 100 1 ms 10 ms 100 ms DC 1 s 10 s TA = 25 °C Single Pulse 100 µs Limited by RDS(on)* |
Numéro de pièce similaire - SI7469DP-T1-E3 |
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Description similaire - SI7469DP-T1-E3 |
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