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FDC6327 Fiches technique(PDF) 5 Page - Fairchild Semiconductor |
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FDC6327 Fiches technique(HTML) 5 Page - Fairchild Semiconductor |
5 / 12 page FDC6327C, Rev. E Typical Characteristics: N-Channel (continued) 0 100 200 300 400 500 0 4 8 121620 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) CISS CRSS COSS f = 1MHz VGS = 0 V 0.01 0.1 1 10 0.1 1 10 100 VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) DC 1s 100ms 10ms 1ms 100 µs RDS(ON) LIMIT VGS = 4.5V SINGLE PULSE RθJA = 180 o C/W TA = 25 o C 0 1 2 3 4 5 0.01 0.1 1 10 100 1000 SINGLE PULSE TIME (SEC) SINGLE PULSE RθJA = 180 o C/W TA = 25 o C Figure 7. Gate-Charge Characteristics. Figure 8. Capacitance Characteristics. 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1 1.522.533.5 4 Qg, GATE CHARGE (nC) ID = 2.7A VDS = 5V 10V 15V Figure 9. Maximum Safe Operating Area. Figure 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation. |
Numéro de pièce similaire - FDC6327 |
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Description similaire - FDC6327 |
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