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STP210N75F6 Fiches technique(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STP210N75F6 Fiches technique(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 13 page STP210N75F6 Electrical characteristics Doc ID 018507 Rev 1 5/13 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD = 40 V, ID = 60 A RG =4.7 Ω VGS = 10 V (see Figure 13) - 34 70 - ns ns td(off) tf Turn-off-delay time Fall time - 154 71 - ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit ISD Source-drain current - 120 A ISDM (1) 1. Current limited by package. Source-drain current (pulsed) - 480 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 120 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 120 A, VDD = 60 V di/dt = 100 A/µs, Tj = 150 °C (see Figure 15) - 60 144 4.8 ns nC A |
Numéro de pièce similaire - STP210N75F6 |
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Description similaire - STP210N75F6 |
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