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ST2341S23RG_V2 Fiches technique(PDF) 2 Page - List of Unclassifed Manufacturers |
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2 / 6 page ST2341S23RG P Channel Enhancement Mode MOSFET -5.3A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com ST2341SRG3RG 2006. Rev.1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS -20 V Gate-Source Voltage VGSS 12 V Continuous Drain CurrentTJ=150 ) TA=25 TA=70 ID -5.3 -4.5 A Pulsed Drain Current IDM -20 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS -1.0 A Power Dissipation TA=25 TA=70 PD 1.25 0.80 W Operation Junction Temperature TJ 150 Storgae Temperature Range TSTG -55/150 Thermal Resistance-Junction to Ambient R JA 140 /W |
Numéro de pièce similaire - ST2341S23RG_V2 |
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Description similaire - ST2341S23RG_V2 |
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