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TIP107 Fiches technique(PDF) 1 Page - Comset Semiconductor |
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TIP107 Fiches technique(HTML) 1 Page - Comset Semiconductor |
1 / 3 page PNP TIP105-106-107 04/10/2012 COMSET SEMICONDUCTORS 1 | 3 SEMICONDUCTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications. NPN complements are TIP100-101-102 Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VCBO Collector-Base Voltage TIP105 -60 V TIP106 -80 TIP107 -100 VCEO Collector-Emitter Voltage TIP105 -60 V TIP106 -80 TIP107 -100 VEBO Emitter-Base Voltage TIP105 -5 V TIP106 TIP107 IC Collector Current TIP105 -8 A TIP106 TIP107 ICM Collector Peak Current TIP105 -15 A TIP106 TIP107 IB Base Current TIP105 -1 A TIP106 TIP107 PT Power Dissipation @ Tc < 25° TIP105 80 Watts TIP106 TIP107 @ Ta < 25° TIP105 2 TIP106 TIP107 TJ Junction Temperature TIP105 150 °C TIP106 TIP107 Ts Storage Temperature range TIP105 -65 to +150 TIP106 TIP107 |
Numéro de pièce similaire - TIP107 |
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Description similaire - TIP107 |
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