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TIP100 Fiches technique(PDF) 1 Page - Comset Semiconductor |
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1 / 3 page NPN TIP100-101-102 04/10/2012 COMSET SEMICONDUCTORS 1 | 3 SEMICONDUCTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications. PNP complements are TIP105-106-107 Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VCBO Collector-Base Voltage TIP100 60 V TIP101 80 TIP102 100 VCEO Collector-Emitter Voltage TIP100 60 V TIP101 80 TIP102 100 VEBO Emitter-Base Voltage TIP100 5 V TIP101 TIP102 IC Collector Current TIP100 8 A TIP101 TIP102 ICM Collector Peak Current TIP100 15 A TIP101 TIP102 IB Base Current TIP100 1 A TIP101 TIP102 PT Power Dissipation @ Tc < 25° TIP100 80 Watts TIP101 TIP102 @ Ta < 25° TIP100 2 TIP101 TIP102 TJ Junction Temperature TIP100 150 °C TIP101 TIP102 Ts Storage Temperature range TIP100 -65 to +150 TIP101 TIP102 |
Numéro de pièce similaire - TIP100 |
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Description similaire - TIP100 |
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