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CGY31 Fiches technique(PDF) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
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CGY31 Fiches technique(HTML) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
4 / 9 page Semiconductor Group 4 CGY 31 Application Circuit f = 800 MHz to 1800 MHz Legend of components C1, C2, C3 : 100 pF : 1 nF R1 L1 39 Ω Resistor, e.g. l = 4 mm; ∅1.8 mm with axial leads 70 nH Inductance, e.g. 8 turns, 0.25 mm enamelled copper wire wound on R. The geometrical combination of L1 and R influences the frequency response. L2 40 nH Inductance, e.g. 5 turns, 0.25 enamelled copper wire wound on M3-nylon rod. Chip capacitors D 6 V 2 Zener diode, 1.3 W (type BZW 22 C 6 V 2). Note: For lower frequencies (f = 100 … 900 MHz) the performance of CGY 31 is comparable to that of CGY 21, if an interstage circuit with L1 = 1 µH is connected. |
Numéro de pièce similaire - CGY31 |
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Description similaire - CGY31 |
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