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BUZ104SL Fiches technique(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ104SL Fiches technique(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 8 page Semiconductor Group 8 29/Jan/1998 BUZ 104 SL SPP13N05L Avalanche energy EAS = f (Tj) parameter:ID=12.5 A,VDD =25 V RGS =25 Ω , L = 666 µH 20 40 60 80 100 120 140 °C 180 T j 0 10 20 30 40 mJ 60 E AS Typ. gate charge VGS = ƒ(QGate) parameter: ID puls = 12 A 0 2 4 6 8 10 12 14 16 nC 20 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 49 51 53 55 57 59 61 V 65 V (BR)DSS |
Numéro de pièce similaire - BUZ104SL |
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Description similaire - BUZ104SL |
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