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BUP313 Fiches technique(PDF) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUP313 Fiches technique(HTML) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
1 / 8 page Semiconductor Group 1 Jul-30-1996 BUP 313 IGBT Preliminary data • Low forward voltage drop • High switching speed • Low tail current • Latch-up free • Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G C E Type VCE IC Package Ordering Code BUP 313 1200V 32A TO-218 AB Q67040-A4208-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage RGE = 20 kΩ VCGR 1200 Gate-emitter voltage VGE ± 20 DC collector current TC = 25 °C TC = 90 °C IC 20 32 A Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 90 °C ICpuls 40 64 Avalanche energy, single pulse IC = 15 A, VCC = 50 V, RGE = 25 Ω L = 200 µH, Tj = 25 °C EAS 22 mJ Power dissipation TC = 25 °C Ptot 200 W Chip or operating temperature Tj -55 ... + 150 °C Storage temperature Tstg -55 ... + 150 |
Numéro de pièce similaire - BUP313 |
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Description similaire - BUP313 |
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