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BUP307D Fiches technique(PDF) 6 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUP307D Fiches technique(HTML) 6 Page - Siemens Semiconductor Group |
6 / 7 page Semiconductor Group 6 Dec-02-1996 BUP 307D Typ. gate charge VGE = ƒ(QGate) parameter: IC puls = 20 A 0 20 40 60 80 100 120 140 nC 180 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 V GE 800 V 400 V Typ. capacitances C = f (VCE) parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz Short circuit safe operating area ICsc = f (VCE) , Tj = 150°C parameter: VGE = ± 15 V, tsc ≤ 10 µs, L < 25 nH 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 0 2 4 6 10 I Csc/IC(90°C) Reverse biased safe operating area ICpuls = f (VCE) , Tj = 150°C parameter: VGE = 15 V 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 0.0 0.5 1.0 1.5 2.5 I Cpuls/IC |
Numéro de pièce similaire - BUP307D |
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Description similaire - BUP307D |
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