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FDN335N Fiches technique(PDF) 4 Page - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. |
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FDN335N Fiches technique(HTML) 4 Page - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. |
4 / 4 page 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 –50 0 50 100 150 0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20 0 246 8 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Threshold Voltage Single Pulse Power Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient Square Wave Pulse Duration (sec) 2 1 0.1 0.01 10–4 10–3 10–2 10–1 1 30 VSD – Source-to-Drain Voltage (V) VGS – Gate-to-Source Voltage (V) TJ – Temperature (_C) 0.2 0.1 0.05 0.02 Single Pulse Duty Cycle = 0.5 ID = 3.6 A ID = 250 mA 10 1 10 TJ = 25_C TJ = 150_C 0.01 0.10 1.00 10.00 Time (sec) TC = 25_C Single Pulse 14 12 8 4 0 2 6 10 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FDN335N 4 Date:2011/05 www.htsemi.com semiconductor JinYu |
Numéro de pièce similaire - FDN335N |
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Description similaire - FDN335N |
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