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SI4666DY-T1-GE3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI4666DY-T1-GE3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 10 page www.vishay.com 4 Document Number: 66587 S10-1044-Rev. A, 03-May-10 Vishay Siliconix Si4666DY TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 0.01 0.001 0.1 10 100 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) - 0.7 - 0.5 - 0.3 - 0.1 0.1 0.3 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 μA ID =5mA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.000 0.008 0.016 0.024 0.032 0.040 0 2 468 10 TJ =25 °C ID =10A TJ = 125 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 16 32 48 64 80 10 1 1 0 0 . 00.01 Time (s) 0.1 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.01 100 1 100 0.01 0.1 1ms 10 s 10 ms 0.1 1 10 10 TA = 25 °C Single Pulse DC BVDSS Limited 1s 100 ms Limited by RDS(on)* VDS - Drain-to-Source Voltage (V) *V GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified |
Numéro de pièce similaire - SI4666DY-T1-GE3 |
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Description similaire - SI4666DY-T1-GE3 |
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