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SI1300BDL Fiches technique(PDF) 6 Page - Vishay Siliconix |
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SI1300BDL Fiches technique(HTML) 6 Page - Vishay Siliconix |
6 / 10 page www.vishay.com 6 Document Number: 71426 S10-2544-Rev. C, 08-Nov-10 Vishay Siliconix Si1035X P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage Variance vs. Temperature 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1000 1 VSD -) V ( e g a t l o V n i a r D - o t - e c r u o S TJ = 125 °C TJ = 25 °C TJ = - 55 °C 10 100 - 0.3 - 0.2 - 0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 ID = 0.25 mA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage IGSS vs. Temperature 0 10 20 30 40 50 0123456 ID = 150 mA VGS - Gate-to-Source Voltage (V) ID = 125 mA 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 TJ - Temperature (°C) VGS = 2.8 V BVGSS vs. Temperature -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 TJ -Temperature (°C) |
Numéro de pièce similaire - SI1300BDL_10 |
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Description similaire - SI1300BDL_10 |
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